本技术属于半导体功率模块技术领域,涉及一种半导体功率模块散热结构,包括散热基板,所述散热基板具有流体容腔,所述流体容腔内形成有流体通道,并在所述散热基板上还设有沿流体容腔中的流体流动方向,并位于所述散热基板两端的基板进液口和基板出液口,且所述基板进液口和所述基板出液口分别与所述流体通道的两端连通。本发明使位于半导体功率模块中心的芯片可以得到良好的冷却效果,使整体芯片温度更加均匀,同时解决了传统散热结构在靠近出口处,芯片温度较高的问题。
背景技术
半导体功率模块常采用多芯片并联封装的方式来提高模块的电流等级。由于热耦合的作用,这种排列方式往往会导致位于模块中间的芯片温度高于位于模块四周的芯片的温度,影响功率模块的整体性能与可靠性。而并联多芯片的方式常常采用对称布局来优化模块电感,受限于体积,所以不能通过优化布局来降低芯片之间的热耦合作用。
散热结构吸收芯片组件等散热对象的热量后,将热量传导至冷却液进行热量导出。但是,在水冷等散热机构散热的过程中,冷却液吸收热量后,其温度逐渐升高,冷却效果降低,导致散热机构上下游的芯片组件结温的温差最高达到10℃以上,严重影响了功率模块的输出能力。
实现思路