本技术涉及半导体三维封装技术领域,具体而言,涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法,其包括:熔炼高熵合金,高熵合金具有面心立方结构;轧制高熵合金,总压下量为80‑90%,轧制后在高熵合金的再结晶温度退火,空冷;切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片;通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球;将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合,热压键合的温度为250~270℃,压力为200‑300gf,时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。
背景技术
焊点在电子封装中发挥着重要作用,既充当组件之间的电气互连,又充当组件的机械支撑。随着电子封装尺寸不断变小、集成度更高,需要细间距焊点,因此,焊点的可靠性变得更加关键。相关技术中通常通过PVD(物理气相沉积)在基体上面生长阻挡层,提高焊点的可靠性。
但是,相关技术制得的阻挡层的阻挡效果有限。
实现思路