本技术涉及一种钠基钛酸铋<111>定向多层陶瓷电容器及其制造工艺,属于多层陶瓷电容器制造技术领域。该工艺包括低速球磨分散模板和流延法制程,旨在提高电容器的性能和可靠性。
背景技术
多层陶瓷电容器获得高储能特性的关键之一是可以承受高的外加电场。但是,高场下大的应变限制了多层陶瓷电容器储能特性的进一步提高。公开号为:CN117637344 A的中国专利,提供了化学式为(1- x
)Bia
Nab
Src-x
Ca1-y
La2y/3
TiO3
,0.1≤ x
≤0.5、0.1≤ y
≤0.9、 a
+ b
+ c
=0.965、0.2≤ a
≤0.5、0.2≤ b
≤0.5、0≤ c
≤0.3的类反铁电介电陶瓷材料,解决无铅介电陶瓷材料储能密度低的问题,但是该材料储能密度仍低于10 J/cm3
,并且储能效率低于80%。织构工艺是高能量密度电介质特定取向晶粒多层织构陶瓷制备关键技术,通过晶粒取向工程降低强场下的应变和电机械击穿概率,使多层陶瓷电容器可以承受更高的外加电场,储能密度得以显著提高。公开号为:CN116253563 A的中国专利,提供了以[111]取向片状BaTiO3
模板为定向模板制备[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷的方案,解决钛酸钡钙基织构陶瓷所用的[111]取向BaTiO3
模板籽晶难制备且粒径尺寸小、可调控范围窄的问题,但是[111]取向片状BaTiO3
模板无法驱动钛酸铋钠基陶瓷晶粒定向生长。流延工艺是制备多层元器件的常规工艺,通过流延可以得到单层陶瓷生坯膜带,再将多层陶瓷生坯膜带叠放起来的陶瓷坯体进行温水等静压可得到生坯块体。
实现思路