本技术介绍了一种先进的纳米硅通孔制备方法及其对应的芯片封装结构,属于半导体技术领域。该技术通过以下步骤实现:首先获取第一晶圆,然后利用刻蚀技术在晶圆的第一表面制备第一深孔。通过精确控制化学气相沉积(CVD)过程,实现纳米硅通孔的高质量制备,为芯片封装提供创新结构。
背景技术
硅通孔技术是重要的半导体先进封装技术,允许在硅片之间通过垂直通孔实现直接的电学连接,能够推动集成电路向更高集成度与更小尺寸发展,满足对性能和功耗不断提升的要求。目前,硅通孔在封装中的常用方法是将硅通孔单独做在一片晶圆上,再通过键合与含有逻辑或存储结构的晶圆进行连接。
随着硅通孔尺寸逐步缩小,通孔尺寸与器件尺寸逐渐接近,对于互联的需求提升。然而,现有技术仍然难以实现将硅通孔的工艺与IC工艺兼容并实现在同一晶圆上。
实现思路