本技术涉及半导体技术,提供一种在集成IC器件的硅片上制造纳米硅通孔及其封装结构的方法。该技术包括获取第一硅片,在其第一表面通过IC工艺形成集成电路,随后进行纳米硅通孔的制造和封装。
背景技术
硅通孔技术是重要的半导体先进封装技术,允许在硅片之间通过垂直通孔实现直接的电学连接,能够推动集成电路向更高集成度与更小尺寸发展,满足对性能和功耗不断提升的要求。目前,硅通孔在封装中的常用方法是将硅通孔单独做在一片晶圆上,再通过键合与含有逻辑或存储结构的晶圆进行连接。
随着硅通孔尺寸逐步缩小,通孔尺寸与器件尺寸逐渐接近,对于互联的需求提升。然而,现有技术仍然难以实现将硅通孔的工艺与IC工艺兼容并实现在同一晶圆上。
实现思路