本技术方案专注于电力电子器件封装领域,提出了一种创新的纳米金属无压烧结互连工艺。该工艺包括钢网印刷、氮气干燥、贴片机预连接及无压烧结等关键步骤,旨在实现纳米金属焊膏与覆铜陶瓷基板及芯片的高效连接。
背景技术
以SiC和GaN为代表的宽带隙半导体因具有低功耗、高热导率和高开关速率等优势,而逐渐成为研究热点。但因生产成本较高和缺乏高效可靠的高温封装技术等问题,还未能实现大面积应用。纳米金属颗粒可在较低的温度下实现烧结连接,成型后的致密烧结结构还保留其块体金属的高熔点。纳米银或铜因具有优异的导热性能和良好的高温可靠性,广泛用于功率器件芯片互连材料。为保证一定的烧结强度以及可靠性,通常需要在互连过程中施加烧结压力。然而,具有加压功能的烧结炉较为昂贵,且单次只能烧结数个样品,生产效率较低。因此,需要开发更加简洁、经济、有效的烧结互连工艺。
实现思路