纳米结构阵列湿法刻蚀技术与装置
2025-02-08 21:49
No.1337903101516193792
技术概要
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本技术涉及半导体加工技术,介绍了一种新型湿法刻蚀装置及纳米结构阵列的刻蚀加工方法。该装置包括壳体、刻蚀容器、可移动装载器和直动单元,旨在提高刻蚀效率和精度。
背景技术
硅的纳米结构如硅纳米孔作为一种硅表面微观结构,有极为显著的光捕获能力,阶梯型硅纳米结构阵列可以人为调控各段结构参数从而实现对特定波长光的吸收和散射,因此在微电子器件、光电子器件、微流体器件、传感器等中有巨大的应用前景。 阶梯型硅纳米结构阵列可以通过金属辅助化学刻蚀方法制备,主要是通过胶体光刻制备贵金属掩膜,再通过人工处理样品、清洁、更换刻蚀溶液或控制组分浓度进行多次刻蚀来实现;该方法由实验人员手动计时、人工操作化学试剂更换,时间精度低、安全风险高,极有可能操作失误,对实验人员产生危害;而且制备阶梯型硅纳米结构阵列所考虑的主要参数,如阶梯孔各段孔距、各段深度,均对刻蚀时间有极为精确的要求,稍有偏差在微观尺度上都会产生较大的影响,从而不能精确的得到所需刻蚀结构参数。
实现思路
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该技术已申请专利,如用于商业用途,请联系技术所有人!
技术研发人员:
张皓钧  龙杰才  张轩  陈桪  谢丛锴
技术所属: 广东工业大学
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