本技术介绍了一种应用于半导体加工领域的纳米孔/线阵列可控刻蚀技术及其设备。该技术通过在待加工器件表面设置含有磁性组分的金属掩膜,利用刻蚀容器和磁场发生装置实现精确控制刻蚀过程。
背景技术
硅纳米孔是硅表面的一种微纳结构,由于其超常的陷光特性和亚波长效应,在太阳能电池、微电子器件、光电子器件、微流体器件和传感器等中有巨大的应用前景。
金属辅助化学刻蚀方法是一种成本效益高、简单、规模大且无需进入洁净室的湿法刻蚀方法,已被广泛应用于在硅片表面形成微纳结构。金属辅助化学刻蚀方法通过调整刻蚀剂各成分的组分浓度影响硅纳米孔结构的刻蚀形貌,现有硅纳米孔刻蚀方法需要根据不同的形貌需求调整刻蚀液的不同成分,需要大量的实验基础以及经验积累,不能做到对参数的量化以及笔直形貌的保证,同时刻蚀过程中环境的微小扰动也有可能影响最终刻蚀的效果;此外,传统金属辅助化学刻蚀通常只能实现硅纳米孔在特定方向上的刻蚀,而无法灵活控制刻蚀轨迹。
实现思路