本实用新型专利介绍了一种专为RTP(快速热处理)作业后的硅片设计的冷却系统。该系统配备有专用的冷却底座,用于放置硅片,并设有密封罩覆盖其上,形成密闭的冷却空间。密封罩与冷却底座共同构成冷却室,旨在实现硅片的快速均匀冷却,以提高生产效率和硅片质量。
背景技术
半导体退火硅片注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷,同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。
RTP(Rapid Thermal Processing)快速热处理,是在非常短的时间内将整个硅片加热至400~1300℃温度范围内的一种方法,相对于炉管退火,它具有热预算少,硅中杂质运动小,玷污小和加工时间短等特点,但是,大多数的RTP设备在作业完成后,并不会在硅片的冷却区域加装对作业后硅片的冷却装置,因此硅片作业后冷却的降温效率低下。
实现思路