本申请公开了一种三维动态存储器及其制备方法，涉及动态存储器技术领域，该存储器结构包括:衬底层、生长在所述衬底层上的外围电极层和存储阵列；在外围电极层上开设有垂直的若干个环形凹槽，且在每个环形凹槽的区域内开设有两个垂直的孔洞，每个环形凹槽和其中的两个孔洞均延伸到所述外围电极层最底层的第一电介质层；在环形凹槽中填充电容介质层，在两个孔洞中分别生成选通层和位线金属电极层，构成读选通器件和写选通器件，进而构成存储单元。本申请用两个单向选通器件取代单个双向导通器件，当需要进行数据擦除操作时，只需要同时在写选通层与读选通层上施加特定电压，即可完成垂直方向上一串存储单元的擦除操作，简化了存储器的擦除操作。
背景技术
随着数据量爆炸性增长，尤其是云计算、人工智能、大数据分析等领域对高速、大容量、低延迟内存的需求持续攀升，市场对更高密度、更低功耗、更大带宽的DRAM产品有着强烈需求。在市场需求和技术创新的驱动下，3D DRAM成为了业界迫切想突破DRAM工艺更高极限的新路径。2022年华中科技大学公开了一种新型结构的动态存储器件结构（CN2021112803491），即新型1S1C结构动态存储器，为下一代高密度动态存储器提供了一种可行方案，但是其复杂的操作方式限制了其进一步应用，比如目前的1S1C存储器的数据擦除操作比较困难，这是由于1S1C存储器其动态存储器属性，其存储的数据会随着时间而流逝，因此其存储数据状态对应的电容两端电压差是一个范围，当要进行擦除操作时，需要确保施加的擦除电压，对电容两端电压处于任何状态，均能进行有效擦除，对擦除操作的窗口、以及擦除操作脉冲等都提出了较高的要求。因此，如何优化动态存储器的结构，简化其擦除操作，是本领域亟待解决的问题。
实现思路