本公开涉及闪存数据读写方法、装置、存储介质和终端设备,该方法包括:根据读数据指令,读取闪存中第一区域中的第一数据;在所述第一数据的地址内包括第二数据的地址的情况下,读取所述闪存中第二区域的第三数据,其中,所述第二数据相对于所述第一区域中的其他数据被修改的频率更高;根据所述第二数据与所述第三数据的地址映射关系,以所述第三数据替换所述第一数据中的所述第二数据,得到替换后的所述第一数据。通过本申请实施例,可以实现读取闪存数据时,对于修改频率更高的数据根据第二区域读取,无需频繁的修改第一区域,减少了数据出错的概率,节约大量资源,提高闪存使用寿命。
背景技术
在移动通信设备中,一般使用闪存(Flash)作为存储介质。闪存是一种非易失存储器(non-volatile random access memory,NVRAM),属于ROM的一种,可以进行十几万次以上的擦写操作。
现有技术中,闪存擦除的最小单位一般是区块(block)或扇区(sector),由此带来的问题是每次对闪存内的数据进行修改,通常要擦除大部分无需修改的数据,浪费了大量的时间和资源,因此亟需更高效的修改闪存内数据的方式。
实现思路