本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号;对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟,以获取高斯混合干扰信号时域函数;根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型,将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号,预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值,预设加速因子模型满足退化一致性条件;及将矩形脉冲信号作为输入边界条件,输入到预设的仿真软件仿真预设次数,以输出待仿真晶体管的退化率,退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此,仿真结果可准确地反映待仿真晶体管的可靠性。
背景技术
目前,功率晶体管作为半导体代表性器件被广泛应用于工业芯片的电路结构中。在实际流片前需采用仿真软件,例如半导体工艺模拟以及器件模拟软件(TechnologyComputer Aided Design,TCAD)对晶体管进行可靠性仿真,基于计算结果对晶体管寿命进行评估。而现有技术方案针对晶体管在电磁场下的可靠性评估中,主要依赖较简单的脉冲的信号参数作为瞬态仿真输入,例如对于横向扩散金属氧化物半导体晶体管而言,目前通常依赖周期性单传输线脉冲(Transmission Line Pulse,TLP)的信号参数作为瞬态仿真输入。而这种仿真条件较简单,难以覆盖工业芯片常见复杂电磁脉冲环境,使得晶体管的可靠性寿命预期值与实际经验值之间相差巨大,导致晶体管的可靠性难以得到精准评估。
实现思路