本公开涉及一种存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法,涉及集成电路设计及制造技术领域,存储单元包括沿第一方向延伸的水平半导体层,及位于水平半导体层上的沿第一方向依次排布的写位线、写晶体管、读晶体管、读字线;写位线、读字线沿与第一方向相交的第二方向延伸;读晶体管沿垂直于第一方向、第二方向的第三方向延伸并贯穿水平半导体层,源线、读晶体管、读位线沿第三方向排布。至少能够在降低单层存储单元面积开销的同时,支持多层堆叠存储单元同时进行光刻。
背景技术
随着集成电路制造工艺的不断发展,市场对存储产品的容量、制备成本,以及数据传输速率要求越来越高,立体堆叠型存储结构成为重要发展方向。
二维存储器阵列在微缩方面对工艺和制造设备的挑战较大,在垂直方向堆叠多层二维存储单元阵列成为一个技术发展方向,以实现高密度存储。
实现思路