本技术涉及一种自修复存储器系统及其操作流程。该系统包含多个存储体,每个存储体包括多个存储器单元和冗余单元。冗余单元被配置用于替换损坏的存储器单元,以维持系统的正常运行。
背景技术
存储器装置可包含经配置以利用电能存储且存取信息的半导体电路。存储器装置的一些实例包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置或组合装置。
一些存储器装置(例如,随机存取存储器(RAM)(例如,动态RAM(DRAM)))可包含经配置以修复位故障的电路。图1是包含一组可修复存储器单元的存储器装置100的部分框图。存储器装置100包含修复电路,其经耦合到存储器单元102及/或与存储器单元102成一体,且经配置以修复/替换对应组存储器单元102内的一或多个有缺陷的单元104。存储器单元102包含修复或冗余单元,其经指定以作为修复电路的部分替换有缺陷的单元104。换句话说,修复单元经配置为备用存储器单元,所述备用存储器单元在正常操作中不会被利用,除非其用于替换实际/主存储器单元102。类似于其它存储器单元102,修复单元经布置成行和列(例如,布置成冗余行112和冗余列114)。
在替换有缺陷的单元104时,存储器装置100可实施行修复及/或列修复。针对行修复,存储器装置100可部署且利用冗余行112来替换包含有缺陷的单元104的行。如在图1中说明,存储器装置100可用冗余行RR0替换行R0,行R0在其中含有有缺陷的单元104。针对列修复,存储器装置100可部署且利用冗余列114来替换包含有缺陷的单元104的列。如在图1中说明,存储器装置100可用冗余列RC1替换列C0,列C0在其中含有有缺陷的单元104。
修复电路包含经配置以促进存储器单元替换的熔丝块。包含一组熔丝锁存器的块中的每一者直接耦合(即,一对一专用且固定电及功能连接)到冗余行或冗余列。存储器装置100包含定位在裸片上的熔丝阵列中的熔丝或非易失性存储器(未展示)。存储在熔丝阵列中的信息在初始化时经广播,并加载到每一存储体中的熔丝块中。
如在图1中说明,熔丝块包含:行熔丝块122,其各自直接耦合到冗余行112中的一者;及列熔丝块124,其各自直接耦合到冗余列114中的一者。每一熔丝块经配置以存储包含有缺陷的单元104的行/列的地址。例如,当使用冗余列来替换有缺陷的单元时,可对对应冗余列的熔丝块进行编程(例如,通过熔断/设置熔丝锁存器和/或相关联熔丝),以存储有缺陷列的地址。可从存储器装置100的操作有效地移除有缺陷列。随后,使用冗余列来代替经替换的有缺陷列存储数据且提供对数据的存取。
实现思路