本实用新型专利涉及半导体器件制造技术,介绍了一种创新的校准装置和涂胶设备。该装置由承载结构、传输结构和击打组件构成,其中承载结构包括一个预设目标位置的基体和在基体上设置的组件。
背景技术
半导体器件制备中包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀等多个步骤,其中,光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上,也就是在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图,电路图案的精细度越高,成品芯片的集成度就越高,必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说,光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。
相关技术中的涂胶显影设备,比如SVG86设备通常采用皮带传送和压焊块下放电路(circuit under pad,简称CUP)配合进行图案光刻绘制,具体来说皮带输送待处理的晶圆至CUP上,之后在晶圆上进行涂胶、曝光和显影等形成图案。这其中,在晶圆到达CUP上方后,通过设置截留结构使晶圆停止在CUP上,但由于设备是以预设时间为准控制传输的,并不存在位置检测,因此皮带还需要继续传动几秒,在皮带上的被拦截的晶圆由于与下方皮带的相对摩擦会出现抖动,晶圆在CUP上出现偏心,影响后续工艺的精准性,降低晶圆质量。
实现思路