实时数据管理优化:降低Flash存储磨损
2025-02-12 15:26
No.1339256277276303360
技术概要
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本系统旨在降低Flash存储设备的磨损,适用于电子数字数据处理领域。系统包含数据存储监管、缓存处理、存储分析和写入执行四个核心模块,旨在优化数据存储流程,延长Flash设备的使用寿命。
背景技术
Flash存储是一种非易失性存储技术,广泛应用于各种电子设备中,如固态硬盘、U盘、嵌入式系统以及存储卡等。与传统的机械硬盘相比,Flash存储没有移动部件,因此具有更高的抗震性、速度和耐用性,此外,Flash存储的寿命受到写入/擦除周期的限制,频繁的写操作会导致存储单元的磨损,最终影响设备的可靠性,因此,如何提高Flash存储的耐用性,是当前需要解决的一个问题。 背景技术的前述论述仅意图便于理解本发明。此论述并不认可或承认提及的材料中的任一种公共常识的一部分。 现在已经开发出了很多flash存储管理系统,经过大量的检索与参考,发现现有的管理系统有如公开号为CN111258498B所公开的系统,这些系统方法一般包括:初始化FLASH存储器;写入数据时更新读逻辑地址;读取数据时提示读取状态。S101:从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始,依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元,若是进行S102,若否进行S103;S102:从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元,若是进行S104,若否进行S103;S103:擦除整个FLASH存储器的存储区,设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址,初始化结束;S104:设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址,初始化结束。但该系统在使用过程中会存在部分存储块写入次数过多、其他存储块写入次数较少的问题,导致整个flash会更容易达到使用寿命。
实现思路
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该技术已申请专利,如用于商业用途,请联系技术所有人!
技术研发人员:
孙佑元舒名华梁铁
技术所属: 广州菲利斯太阳能科技有限公司.
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