本实用新型介绍了一种创新的LTPO-LCD阵列基板设计,该设计包含GIP区域和显示区域。在缓冲层上,第一半导体层和像素电极层被同步图案化制备,实现了结构的优化和性能的提升。
背景技术
LTPO基板同时包含金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管,因此可以使面板同时具有强驱动能力及低功耗的特点,已经成为显示面板中炙手可热的技术。
然而,现有阵列基板的GIP区域结构由下到上依次为:第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、层间隔离层、第一源漏电极层及第一绝缘层,显示区域结构由下到上依次为:第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二半导体层、第二源漏电极层及第二绝缘层,且在GIP区域和显示区域的第一绝缘层和第二绝缘层上制备平坦层、公共电极层、第三绝缘层及像素电极层。在LTPS工艺中,层间隔离层ILD通常使用SiNx结构,SiNx膜质H离子含量较高,在后续退火制程中H离子移动,可起到poly-Si沟道晶格修补作用,改善器件SS;但IGZO-TFT对H离子较敏感,大量H离子移动易造成金属氧化物半导体器件Vth漂移及稳定性恶化,因此要减少LTPS工艺中H离子扩散对金属氧化物半导体器件电性及稳定性的影响。
同时,现有LTPO工艺,其同时包含金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管,通过掩膜版工艺在各膜层上形成所需的图案,所需mask数量较多,这使得制备阵列基板的过程过于复杂,工艺成本及制程复杂性很高。
实现思路