磷化铟（InP）是制备光电器件和微电子器件的重要半导体材料，具有电子迁移率高、禁带宽度大、抗辐射能力强等优良特性，被广泛用于集成电路、传感器、太阳能电池和光模块等器件，在5G通信、航空航天和人工智能等领域应用前景广阔。 磷化铟材料的制备需要在高温高压条件下进行，反应炉能够提供促进磷和铟元素发生化学反应所需的高温和高压环境，进而形成具有特定结构和性质的磷化铟材料。同时，反应炉的密闭性和稳定性能够有效地防止外界杂质的污染和干扰，保证反应在纯净的环境中进行。 在制备磷化铟的过程中，合理的控制反应炉内高压气流扰动对于磷化铟材料的生成尤为关键，现有的基于反应炉的气流扰动优化控制方法忽略了气流扰动对于磷化铟材料生成的影响，而气流扰动会导致反应炉内的温度场发生变化，破坏预设的垂直温度梯度，导致磷化铟材料内部产生热应力，从而引起位错缺陷，导致制备的磷化铟材料质量下降。