本技术介绍了一种创新的电子束灰度光刻技术,用于制造低波前误差的双闪耀光栅。该技术通过精细调控电子束剂量参数,包括平均剂量和剂量差,以及光栅参数,如光栅高度和深度,实现了光栅制造过程中波前误差的显著降低。
背景技术
闪耀光栅作为一种高分辨率的色散光学元件,被广泛应用于光谱成像领域。但是偏离闪耀波长后,闪耀光栅的衍射效率快速下降,工作带宽有限,不能满足跨波段光谱系统的使用需求。采用双闪耀光栅可以在较宽的波段上获得较高的衍射效率,能够满足宽带的衍射需求,促进了跨波段光谱成像系统的发展。但是双闪耀光栅的制造存在新的难点:不同区域光栅的中心高度匹配方式会影响衍射波前,只有不同区域光栅的中心高度对齐时,衍射波前误差才能达到最小,实现最好的成像效果。目前,双闪耀光栅的主要制作方法是机械刻画、离子束刻蚀和电子束灰度光刻等,其中电子束灰度光刻制造的双闪耀光栅具有粗糙度低、面型线性度好等特点,能够实现更好的分光和成像效果。但是目前的加工方案建立在仿真的基础上,曝光剂量的分配与实际加工存在偏差,导致不同区域的光栅中心高度不能完全对齐,衍射波前质量下降,影响了电子束灰度光刻技术制造的双闪耀光栅的应用。
针对以上问题,亟需设计一种基于电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作技术,实现波前质量良好的双闪耀光栅加工。
实现思路