氮化物半导体激光器及其制备技术与应用
2025-02-10 21:09
No.1338617915083333632
技术概要
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本技术涉及一种氮化物半导体激光器及其制造方法,旨在实现纵向单模高输出。该激光器采用分布反馈型结构,由GaN基板、n型半导体层等多层结构堆叠而成,以提升发光效率和稳定性。
背景技术
迄今为止,作为杀菌用途,广泛使用了254nm紫外线杀菌灯等。但是,若照射到人身上,则有患上皮肤癌、角膜炎的风险。相对于此,近年来国内外很多医疗机构和大学等报告了使用了KrCl准分子灯的222nm的紫外线的安全性要高得多。除此之外,也验证了对新型冠状病毒有效。应用了该KrCl准分子灯的病毒灭活系统在医疗机构、学校,公共·商业设施、饮食设施等中能够不限制人的活动地进行病毒的灭活,作为能够贡献于兼顾流行病的抑制与社会活动的系统而受到关注。 为了进一步提高该病毒灭活系统的静音性或使其小型化,考虑将KrCl准分子灯置换为安装有半导体发光元件的半导体发光装置的方法。但是,还没有在222nm附近发光的半导体发光元件。因此,考虑利用基于波长转换元件的高次谐波产生将444nm的光转换为222nm的二次谐波(SHG:Second harmonic Generation波)的方法。 为了提高SHG波的转换效率,作为444nm的光源,需要纵向单模并且高输出的半导体激光器。一般来说,作为纵向单模激光器,利用分布反馈型半导体激光器(DFB-LD:Distributed FeedBack Laser Diode)。 现有技术文献 非专利文献 非专利文献1:"InGaAs/AlGaAs Quantum Well Laterally-Coupled DistributedFeedback Laser",Japanese Journal of Applied Physics,volume 43、Number 5R,pp.25-49(2004) 非专利文献2:"Continuous-wave operation of a semipolar InGaNdistributed-feedback blue laser diode with a first-order indium tin oxidesurface grating",Optics Letters vol.44pp.3106-3109(2019)
实现思路
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该技术已申请专利,如用于商业用途,请联系技术所有人!
技术研发人员:
深町俊彦  上向井正裕  片山竜二  谷川智之
技术所属: 优志旺电机株式会社  国立大学法人大阪大学
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