本技术涉及一种介质滤波器,该滤波器利用负耦合槽和隔断环实现电容耦合,负耦合槽位于介质滤波器本体的上表面,同时覆盖上表面和前表面,以优化滤波性能。
背景技术
随着5G通信“大爆炸”时代的来临,5G基站逐渐在世界范围内进行普及,而滤波器正是通讯基站中决定基站抗干扰特性的关键元器件。传统的4G基站采用铝制腔体滤波器制成体积庞大的腔体滤波器,由于尺寸、重量、成本等缺陷无法在5G基站Massive MIMO的架构下大规模应用。而介质滤波器,凭借小体积、低损耗、低成本、高可靠性等特点成为了5G基站用滤波器的首选方案。在相同的工作频率下,介质滤波器凭借高介电常数带来的体积压缩效应可将总体滤波器体积和重量压缩至传统腔体滤波器的几十分之一,同时维持较好的性能。随着无线电频谱资源的占用以及基站性能要求的提高,对滤波器的带外抑制指标提出了严格的要求。目前业内通用的方案是,采用交叉耦合结构在滤波器带外构建出传输零点,使滤波器的矩形系数得以提高,增加对带外杂散的抑制度。
在滤波器构建交叉耦合传输零点时,通常需要用到负耦合以使滤波器传输相位翻转,如中国专利申请CN110444849A就公开了一种具有长形盲槽负耦合结构的介质滤波器,为了达到部分特定的电气性能要求,例如滤波器相对带宽5%左右时,该盲槽型负耦合的深度需要设计得非常深,槽深与滤波器总高度比达到了约95%;同时该盲槽的长度较长,在陶瓷材料高温烧结时该盲槽的形状和精度变化大,会使得该介质滤波器负耦合结构的形状和精度发生较大改变,从而影响介质滤波器的电气性能,良品率低;同时较深的盲槽还大大降低了介质滤波器的结构强度,容易开裂并导致滤波器可靠性下降。
实现思路