本技术涉及一种亚单层量子点垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制备技术,旨在结合应变量子阱的优点,同时避免引入额外的非辐射复合损耗,以提升激光器的量子效率和温度稳定性。
背景技术
垂直腔激光器(VCSEL)由于其低电流阈值、优越的光束特性、高封装密度等优势,在光通信和3D传感等应用中扮演着日益重要的角色。垂直腔激光器通常由不同掺杂类型的两个上下布拉格反射镜和一个有源区组成。垂直腔激光器有源区通常包括多个InGaAs/(Al)GaAs、InAlGaAs/(Al)GaAs等材料形成的应变量子阱。应变量子阱通常在提高器件效率、速度,同时降低电流阈值和线宽方面有较大作用,但是多层应变量子阱材料应力释放过程中会产生缺陷,引入额外的非辐射复合损耗,从而降低器件的性能,限制了激光器效率等发明性能的提升。另一方面,量子阱只有一维束缚,电子能带结构呈现出台阶状态密度,由此,量子阱激光器往往出现温度稳定性差和在高注入下出现烧孔效应等缺点。
实现思路