本技术介绍了一种纳米线定向技术,以及利用该技术制备的薄膜和其在偏振光电器件中的应用。该技术包括提供定向组件和基底,其中定向组件至少包含一个定向单元,用于实现纳米线的定向排列。
背景技术
具有高度各向异性跃迁偶极矩的半导体纳米线是制备偏振光电器件的重要材料,特别是高长径比的纳米线更有利于提高沿长轴方向的光吸收和载流子迁移,具有广泛的应用前景。目前已经发展了各种策略来制备取向的纳米线结构,包括刮涂法、浸涂法、L-B界面组装技术等。但是,仍然存在纳米线取向偏差大和超长纳米线易相互缠绕难以均匀的问题,导致了器件的偏振度低。
例如,刮涂法和浸涂法很难精确控制纳米线在微米尺度的取向,制备得到的纳米线薄膜取向度偏低。L-B界面组装技术虽然适用于超长纳米线的取向组装,但是由于超长纳米线易于相互缠绕,取向度难以进一步提升。
因此,如何通过简单的方法实现纳米线,尤其是超长纳米线的高度取向组装,是本领域研究人员亟需解决的问题。
实现思路