本技术方案涉及一种化学机械抛光技术,包括处理方法、装置、设备和存储介质。该技术在化学机械抛光过程中,首先捕获晶圆抛光层的目标反射相干光谱曲线,进而实现精准的抛光控制。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技术是实现硅晶圆表面全面平坦化的关键技术,其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术。在CMP抛光工艺过程中,不同的抛光去料速率,晶圆表面会呈现出不同的微观形貌,关系到CMP的工艺质量。
对于CMP的工艺,在一定工艺参数前提下,存在最优的对晶圆抛光层的厚度进行打磨的抛光速率,此时晶圆片的表面微粗糙度最小,但抛光过程中,摩擦产生的热量,抛光液结晶及成分的变化,还有抛光垫磨损导致的形貌变化,都会动态影响抛光层的厚度变化。
因此,如何有效地监测晶圆抛光层的实际厚度值,是一个亟待解决的问题。
实现思路