半导体存储器检测系统及其测试流程
2025-02-03 21:31
No.1336086806298632192
技术概要
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本项创新涉及半导体存储器检测技术,介绍了一种新型半导体存储器检测系统及其测试流程。该系统主要由测试板和微型气候室组成,测试板用于直接插入待检测的半导体存储器,而微型气候室则置于测试板上,用于控制测试环境。
背景技术
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)作为一种半导体存储器应用广泛,其作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0,以此来存储数据。目前,通常是将DRAM组件焊接到PCB基板上以形成模块,再将其插入计算机系统的主板中应用。通常,已封装的DRAM组件需要进行老化测试、弱单元测试(或称为核心测试)和速度测试等,以确保存储组件能够正常运行。 在上述测试过程中,需要在不同的温度环境下进行多次测试,然而,由于DRAM这一半导体存储器通常是焊接在PCB基板上的,测试过程中温度的变化将会对焊接触点(如FBGA组件的触点球)造成处理损坏,进而影响后续的测试。当前,通常采用特定工具如HIFIX(高保真测试接口板)在测试时送入和处理DRAM组件,并将其电连接到测试头,但是,这一特定工具是特定于产品的,必须针对每个单独的DRAM提供使用,其测试成本高昂,难以推广使用。另外,由于热焊接工艺可能会使某些存储单元性能下降,并且由于信号噪声或共享信令,DRAM在应用中的性能可能会相对于在组件测试环境下的性能有所不同,导致最终测试结果不准确。
实现思路
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该技术已申请专利,如用于商业用途,请联系技术所有人!
技术研发人员:
濮必得殷和国
技术所属: 芯梦达半导体科技(济南)有限公司.
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