本实用新型公开了一种新型MOS隔离驱动电路及其动态测试系统,该系统由光耦隔离驱动电路、稳压电路和MOS双脉冲测试电路组成。其中,稳压电路与光耦隔离驱动电路相连,光耦隔离驱动电路进一步与MOS双脉冲测试电路相接,以实现高效稳定的MOS驱动和测试。
背景技术
MOSFET是金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET。MOSFET在系统电路中通常作为“开关”使用,因此评估开关特性对MOSFET的应用十分重要。双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法,该测试不仅可以评估对象元件的开关特性,还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复二极管(FRD)等的反向恢复特性,可以在一定程度上模拟出MOSFET在客户端的实际工作状态。
对于MOSFET的双脉冲测试而言,驱动电路中的元件及电路结构直接影响最终MOSFET的评测结果。对于系统来说,控制信号与MOSFET的母线电压是两个不同的电压等级,因此进行不同电压等级的隔离能增强系统的可靠性。目前带隔离要求的驱动电路大多为光耦加隔离电源的方式或变压器隔离的方式。
在公告号为CN211089460U专利中,采用MCU直接驱动光耦隔离,输出栅极驱动信号,省去了隔离电源,直接通过二极管和电阻让光耦和IGBT集电极同时供电,在IGBT集电极电压有波动时,光耦器件的工作可能会受到影响,影响系统的稳定性。
实现思路