本技术涉及芯片制造,旨在简化光学邻近校正掩膜的复杂度。引入了一种新型损失函数,有效对抗光学邻近校正中的偏差。该方法综合了打印误差与工艺变量,以优化掩膜设计,提升制造效率和芯片性能。
背景技术
随着集成电路工艺的特征尺寸不断减小,现有的制造技术面临着极大的挑战。由于电路的图形尺寸和光刻工艺所使用的光源波长相近,干涉效应将不可避免的产生,从而导致光刻图形失真,进而影响集成电路制造产能。分辨率增强技术的应用则是提升产能的关键步骤。光学临近校正则是最为核心的分辨率增强技术。在光学临近校正的过程中,待加工的掩模上的图形会进行调整,以达到补偿光学散射的影响。第一类是基于设计规则的方法,这一类方法的特点是应用简单并且速度快,能很好地处理简单的设计。而先进技术节点下大规模设计的设计规则呈指数级增长,因此基于设计规则的方法优化掩模版的质量有限。另一种是基于模型的方法,这类方法有着极大的解空间,因此想要得到一个高质量的结果会非常耗时。随着电路设计的复杂程度日益增加,以上基于设计规则和基于模型的方法都会面临效率或者产出质量的问题。因此解析类方法成为新的趋势。经典的逆光刻技术基于每一个像素的强度进行修正,并通过设立阈值函数来最终决定掩膜版上每一坐标处的窗口打开与否。这种像素级别的方法制造出的掩膜版外形不规则,给掩膜的生产制造添加难度。而若用几何规则简单约束掩膜版的几何形状,则其可被优化的解空间被大大压缩,产生的打印图片质量会大大降低。
实现思路