本技术涉及一种深蓝光准二维钙钛矿材料的制备方法及其应用。该方法采用溴化铯、溴化铅、氯化铅和2-丙烯酸-2-[(丁基氨基)-羰基]氧代乙等原料,通过特定工艺制备出具有优异性能的深蓝光准二维钙钛矿材料。该材料可广泛应用于光电领域,具有广阔的市场前景。
背景技术
蓝光钙钛矿发光二极管(PeLEDs),尤其是天蓝光PeLEDs领域,正以前所未有的速度蓬勃发展,其在商用LED显示屏领域所展现出的巨大应用潜力,预示着一场技术革新的到来。对于追求极致色彩还原的全彩LED显示屏而言,满足CIE 1931色度坐标中的(0.14,0.08)要求,是实现高清画质不可或缺的一环。然而,目前市场上的蓝光PeLEDs(其CIE y值常低于0.08),在器件效率上显著滞后于其他光谱范围的PeLEDs,这成为制约其广泛应用的主要瓶颈。因此,开发具备高效率的深蓝光钙钛矿薄膜,不仅是科研界的前沿课题,也是推动LED技术向更高层次迈进的迫切需求,在众多候选材料中,准二维钙钛矿凭借其独特的结构与卓越的性能成为制备高性能蓝光钙钛矿薄膜的优选材料。其化学式L2
(APbX3
)n-1
PbX4
中,n值的变化灵活调控着卤化铅八面体层数,进而为精确调整材料的带隙与发光特性开辟了新途径。在追求蓝光发射优化的道路上,添加剂工程展现了其不可或缺的优势。首先,通过精细调控n值,能够有效地缩小发射体的带隙,实现蓝光的精准定位与发射。尤为关键的是,准二维钙钛矿这一复杂体系,由多个具有不同n值的低维相交织而成,这些相之间的能量级联转移机制为探索蓝光发射性能的优化路径提供了全新视角。通过精心控制二维相的分布与含量比例,显著降低激发态在传输过程中的非辐射复合损失,从而显著提升发光效率。
现有方案中,混合卤素离子(主要为溴离子和氯离子混合)和构筑纯溴离子的准二维钙钛矿结构是目前调节钙钛矿带隙实现钙钛矿材料光色蓝移最主要的两个策略。然而,通过引入大位阻有机配体虽然可构筑纯溴离子的蓝光准二维钙钛矿结构,实现带隙较宽的低维相的蓝光发射,但是调控准二维钙钛矿中的相分布十分困难,容易产生不同n值钙钛矿相共存的现象,而且从低维相到高维相的能量传递较为低效,导致蓝光钙钛矿发光二极管难以实现高效的蓝光发射。
因此亟需开发一种蓝光钙钛矿薄膜用于解决目前蓝光钙钛矿发光二极管发光效率低的问题。
实现思路