本技术介绍了一种紫光激发型青光荧光粉及其制备技术与应用。该荧光粉基于AO-Si3N4材料,具有优异的发光性能和稳定性,适用于多种照明和显示领域。
背景技术
白光发光二极管(W-LED)凭借其卓越的发光效率、长寿命、环保及稳定性,成为未来照明技术的明星,广泛应用于固态照明领域。目前,商用白光LED主要依托蓝色LED芯片与黄色荧光粉(YAG:Ce3+
)的组合来实现。然而,这种方法产生的冷白光往往因红色光谱成分不足,导致高色温(CCT)和低显色指数(CRI)的缺陷。为了解决这一难题,相关研究提出了基于紫光芯片,通过红、绿、蓝三种荧光粉结合的方法。但这些紫光激发白光LED的发射光谱在480-520nm的青色波段存在明显缺失,这极大地降低了其CRI值,限制了其在高品质照明中的应用。因此,研发高效的紫光激发青色荧光粉以弥补紫光暖白光LED的青色光谱不足,进而大幅提升其显色指数尤为重要。然而,关于这种青色荧光粉的研究尚显不足。
专利公开号CN113736463A公开了一种紫光激发的青光荧光粉及其制备方法与应用,该青光荧光粉属于BaO-La2
O3
-SiO2
-EuO体系,其中各个氧化物的质量百分比为:66.77%≤BaO≤66.93%,15.29%≤La2
O3
≤15.60%,17.44%≤SiO2
≤17.48%,0.16%≤EuO≤0.48%。制备时按照计量比称取原料粉体,混合均匀,研磨,研磨完毕后将研磨好的原料装入氧化铝坩埚中,并将其埋入装有碳粉的氧化铝坩埚中,高温下还原烧结,得到紫光激发青光荧光粉。该青光荧光粉的原料不含有N元素和Sb元素,且在制备过程中采用CO进行还原,制备得到的发射光谱范围宽,但单色性较差。
因此,为了满足目前白光LED/类太阳光LED/全光谱LED/健康照明LED光源的迫切需求,覆盖更广的发射光谱范围,亟待开发新型的青光发射荧光材料。
实现思路