本技术旨在解决MPCVD设备舱壁杂质难以清除的问题,提出了一种有效的MPCVD舱壁杂质去除方法。该方法首先涉及在水冷台上放置样品托以保护水冷台,确保在清洁过程中不会对设备造成损害。
背景技术
金刚石凭借其出色的光学性能、导热性能和半导体性能,在集成电路、高频通信、人工智能、航空航天等领域崭露头角,甚至在一些极端应用环境下,具有超高物理化学稳定性的金刚石成为了关键的基础材料。金刚石材料目前已被列为新兴战略材料,尤其是对大尺寸、高品质单晶金刚石材料的人工合成方法以及合成设备的研发,对未来半导体产业发展具有重要的意义。MPCVD工艺技术由于其能量来源清洁、无电极污染、能量密度高、有效沉积面积大而成为大尺寸、高品质单晶金刚石制备的理想方法。目前人造金刚石发展最有前景的方法也即为MPCVD法。但是在使用MPCVD技术生长金刚石的过程中,MPCVD系统的舱壁上会沉积一层杂质,杂质颜色随沉积时间变化由淡黄色向深褐色转变,厚度也不断增加。舱壁上的杂质不仅会吸附杂质气体,影响MPCVD系统真空性能,同时在生长过程中从舱壁脱落的杂质薄层极容易落于生长衬底表面,严重影响金刚石正常生长进程,导致生长失败,造成大量经济损失,而目前常规纯等离子体清洗方法无法有效清洁舱壁,去除杂质,所以目前对于MPCVD设备而言亟需一种低成本,快速便捷的杂质去除方法。
实现思路